高湿度实际上减小了无尘车间、洁净室表面的静电荷积累，较低的湿度比较适合电荷的积累并成为潜在的具有破坏性的静电释放源。
　　当相对湿度超过50%时，静电荷开始迅速消散，但是当相对湿度小于30%时，它们可以在绝缘体或者未接地的表面上持续存在很长一段时间。
　　相对湿度在35%到40%之间可以作为一个令人满意的折中，半导体无尘车间、洁净室一般都使用额外的控制装置以限制静电荷的积累。
　　到目前为止，在半导体无尘车间、洁净室中最迫切需要适当控制的是光刻胶的敏感性。由于光刻胶对相对湿度极为敏感的特性，它对相对湿度的控制范围的要求是最严格的水准。
　　实际上，相对湿度和温度对于光刻胶稳定性以及精确的尺寸控制都是很关键的。甚至是在恒温条件下，光刻胶的粘性将随着相对湿度的上升而迅速下降。当然，改变粘性，就会改变由固定组分涂层形成的保护膜的厚度。参考两个城市，一个试验证实，相对湿度的3%的变异将使保护厚度改变59.2A。
　　此外，在高的相对湿度环境下，由于水分的吸收，使烘烤循环后光刻胶膨胀加重。光刻胶附着力同样也可以受到较高的相对湿度的负面影响;较低的相对湿度(约30%)使光刻胶附着更加容易，甚至不需要聚合改性剂，如六甲基二硅氮烷(HMDS)。
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